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真空濺射鍍膜

作者:admin 發(fā)布日期:2021-08-14 關(guān)注次數(shù): 二維碼分享
定義

給靶材施加高電壓(形成等離子狀態(tài)),使正荷電氣體離子撞擊靶材、金屬 原子飛彈,而在樣品表面形成金屬皮膜的方法。

真空濺射鎖膜的優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn):

· 對(duì)于任何待鎖材料,只有 能做成靶材,就能實(shí)現(xiàn)濺射

· 濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合良好

· 濺射所獲得的薄膜純度高, 致密性好

· 濺射工藝可重復(fù)性好,膜 厚 可控制, 同 時(shí)司 以 在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜

● 缺點(diǎn):

· 濺射設(shè)備復(fù)雜

· 濺射淀積的成膜速率低,真空蒸鍛淀積速率為0.1~spm/min

· 基板升溫較高和易受雜質(zhì)氣體影響
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