當(dāng)前位置：
鍍膜
①沉積鈦底層
真空度：通入高純氬氣，真空度保持在5 x 10-2pa。電弧電流：50～70a，引燃全部弧源，時間為2～3min。偏壓：400～500v。
②沉積tin膜
真空度：通入高純氮氣，真空度保持在s x lo-1pa。偏壓：100～200vo電弧電流：60～80a。沉積時間：10～20min，膜層厚度0.1～0.5μm。
③摻金鍍
真空度：通入高純氮氣，真空度保持在5 x 10-2pa。偏壓：100～150v。電弧電流：60a(真空鍍膜室上、中、下各點燃1個源)。磁控濺射金靶電壓：400—500v，電流3～5a;時間：1min。
④鍍金
真空度：通入氬氣，真空度保持在3 x 10-1pa。偏壓：100～150v。濺射靶電壓：400～550v。時間：5-10min。
⑤沉積si02
真空度：通入高純氬氣，真空度8 x 10-2pa或5x 10-1pa。中頻（射頻）電源功率：200～500w。時間：10～20min。
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